三星聲稱已開發出業界首款 512 GB DDR5 內存模塊，運行速度為 DDR5-7200。專為服務器和企業使用而設計，三星在最近的 Hot Chips 半導體會議上分享了有關新RAM模塊的詳細信息。
在報道三星的演講時，Tom's Hardware指出，新的 DDR5-7400 內存模塊基于標準 DDR5 規格，運行電壓為 1.1 伏，但與DDR4相比，性能提高了 40%，容量增加了一倍。
在演示中，三星分享了有關其已融入新模塊的新特性和功能的技術細節，以提高其能源效率并支持更高的傳輸速率。
三星在其演示中將新內存模塊的效率提高歸功于使用了 Same-Bank 刷新 (SBR) 技術，與 DDR4-4200 類型 RAM 相比，該技術有助于使模塊的能效至少提高 10%。
新內存模塊的一項有趣創新有助于三星在不增加物理尺寸的情況下增加容量。該公司聲稱堆疊了八個 DDR5 芯片，但最終仍比四個堆疊的 DDR 芯片小，這要歸功于薄晶圓處理技術，有助于將芯片之間的間隙減少多達 40% 并實現更薄的外形。
然而，DDR5 距離主流采用還有一段距離，三星預計要到 2023 年或 2024 年才會被大眾市場采用。此外，Tom's Hardware指出，雖然 512GB DDR5 內存模塊令人興奮，但它適用于數據中心和服務器市場，消費者 DDR5 內存可能會達到 64GB。
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