小伙伴們好，最近小評發現大家對于場效應管的原理，場效應管的工作原理是什么這個問題都頗為感興趣的，今天整理了一些相關信息一起往下看看吧。

1、FET的工作原理，換句話說就是“流經漏源之間溝道的ID，用來控制柵極和溝道之間pn結形成的反向偏置的柵極電壓”。更準確地說，ID流過的溝道的寬度，即溝道的橫截面積，是由pn結反向偏置的變化來控制的，從而導致耗盡層的膨脹變化。

2、場效應晶體管(FET)簡稱場效應晶體管。主要有兩種類型(結型場效應晶體管——JFET)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOS-FET)。由多數載流子傳導，也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件。

3、由于過渡層中沒有電子和空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流難以流動。但此時漏源之間的電場實際上是兩個過渡層接觸漏極和柵極的下部，被漂移電場拉走的高速電子穿過過渡層。因為漂移電場的強度幾乎是恒定的，所以會發生ID的飽和現象。

4、該電路結合使用增強型P溝道MOSFET和增強型N溝道MOSFET。當輸入端為低電平時，P溝道MOSFET導通，輸出端與電源正極相連。當輸入端為高電平時，N溝道MOSFET導通，輸出端與電源地相連。在這個電路中，P溝道MOSFET和N溝道MOSFET總是工作在相反的狀態，它們的相位輸入和輸出是相反的。

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