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1、存儲器時序(英文:Memory timing或RAM timings)是描述同步動態隨機存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘周期。它們通常被寫成由破折號分隔的四個數字,例如7-8-8-24。
2、第四個參數(RAS)經常被省略,有時會加上第五個參數:命令速率(一般是2T或1T),也寫成2N或1N。這些參數指定了影響RAM速度的延遲時間。數字越小,通常意味著性能越快。決定系統性能的最后一個因素是實際延遲時間,通常以納秒為單位。
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